Транзисторы в Екатеринбурге
Технические параметры: Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 360 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 200(pulse) Напряжение насыщения...
Пара транзисторов C6144 A2222 для Epson ЛОТ 20 штук Совместимость принтеров: Epson L210, L350, L355, L222, L382, L362 парт номер: C6144 - A2222
N-channel Power MOSFET, Vds=60V, Id=55A, Pd=115W, Rds(on)=16,5 mOhm
Транзистор IRFZ44NPBF N-канал 55В 41А [TO-220AB] Технические характеристики: Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А: 50 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
Тип: Электронные компоненты
Тип транзистора: IGBT Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 40 Напряжение насыщения...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное напряжение эмиттер-база...
Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1 Напряжение изоляции...
-
-
-
Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43 Триаки 0.8 Amp 600 Volt Технические параметры Конфигурация single...
Набор транзисторов в корпусе TO-92. 10 видов по 20 шт каждого. В комплекте: BC337 BC327 2N2222 2N2907 2N3904 2N3906 S8050 S8550 A1015 C1815
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, N-channel: Id=8,4A, Rds(on)=20 mOhm, P-channel: Id=6,8A, Rds(on)=30 mOhm, Pd=2,1W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407 Наименование прибора: AO3407 Маркировка: A79TF_X7*_A7 Тип транзистора:...
Комплект из 10-и BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN 45В 0.1А 0.25Вт. Коэффициент усиления hFE мин. 420 Корпус SOT-23-3 (TO-236-3) Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) количество в упаковке:...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при...
Field Stop IGBT, Vces=600V, Vce(sat)=2,3V, Ic=40A, Pd=290W FGH40N60SFD 600V, 40A Field Stop IGBT IGBT FGH40N60SFD имеет структуру, подходящую для токов большой силы. Транзистор обладает высоким входным импедансом, аналогичным МОП-транзисторам, и...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
Тип: MOP транзистор полевой 1 N-канал серии IRFL Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Назначение: управление силовыми цепями Напряжение: пробоя сток-исток (Vds) - 500 В Напряжение: затвор-исток (Vgs) - -20/+20...
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень...
Характеристики транзистора КТ807Б Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая...
N Channel, Id=75A, Vds=55V, Rds(on)=0.0046ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=2V, Pd=330W, корпусTO-220AB-3, t-175°C
Модуль с распаянным MOSFET транзистором IRF520 (n-канал). Модуль позволяет управлять нагрузкой с током до 10 А. Несмотря на это, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Модуль IRF520N...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов LM317T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог UPC317 схема ECG1900 характеристики цоколевка datasheet LM317 LM317Т – это регулируемый стабилизатор напряжения. Он может служить для создания...
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень...
КТ805АМ, БМ, ИМ Транзистор NPN, среднечастотный, большой мощности, TO-220 (КТ-28) Описание СтруктураNPN Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), В60 Максимально допустимый ток...
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать...
Усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется по коэффициенту шума на частоте 1 кГц. Применяется в импульсных и усилительных модулях, а также в различных блоках герметизированной аппаратуры. Два номинала транзистора КТ209...
Особенности: Его можно широко использовать для обнаружения NPN и PNP транзисторов, конденсаторов, резисторов, диодов, триодов, n-канальных и p-канальных МОП-транзисторов, IGBT, JFET, триаков и аккумуляторов и т. д. Он также может...
N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор
В комплекте 2 штуки новых деталей LR2905Z транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог HUF76429D3S схема PHD44N06LT характеристики цоколевка datasheet микросхема LR2905 Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В...
Биполярный транзистор, характеристики NPN Uкэ 45в, Iк-100mА, hоэ 200-450, P-500mВт, 100Мгц количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Field Stop IGBT, Vces=600V, Vce(sat)=2,3V, Ic=40A, Pd=290W FGH40N60SFD 600V, 40A Field Stop IGBT IGBT FGH40N60SFD имеет структуру, подходящую для токов большой силы. Транзистор обладает высоким входным импедансом, аналогичным МОП-транзисторам, и...
П701 Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC547 B 331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BC237B схема BC546B характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора BC547B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20...
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V...
В комплекте 5 штук новых транзисторов C3198 GR 331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог KSC945C схема KSC1815 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2SC 3198 Характеристики транзистора 2-SC3198 Структура - n-p-n Напряжение...
Технические параметры Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 4.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в...
Тип: Электронные компоненты
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
Комплект из 10-и SS8050 Биполярных транзисторов для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 25 В, максимальный ток коллектора Ic max 1,5 А, минимальный коэффициент...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В...
Комплект из 5-и Транзисторов SS8550 TO-92 - это маломощный PNP транзистор, который может использоваться в различных электронных схемах. Он имеет максимальную мощность в 1 Вт, максимальный ток коллектора в 1,5...
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 120...
Тип: Электронные компоненты
IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный...
Набор транзисторов в ассортименте (SOT-23) 15 видов * 10 шт. = 150 штук
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N....
IRLR2905PBF N Channel, Id=42A, Vds=55V, Rds(on)=0.027ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=1V, Pd=110W, корпус-TO-252-3, t-175°C