Транзисторы в Екатеринбурге
Пара транзисторов C6144 A2222 для Epson ЛОТ 20 штук Совместимость принтеров: Epson L210, L350, L355, L222, L382, L362 парт номер: C6144 - A2222
Тип транзистора: IGBT Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 40 Напряжение насыщения...
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
N-channel Power MOSFET, Vds=60V, Id=55A, Pd=115W, Rds(on)=16,5 mOhm
Комплект из 10-и BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN 45В 0.1А 0.25Вт. Коэффициент усиления hFE мин. 420 Корпус SOT-23-3 (TO-236-3) Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) количество в упаковке:...
P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET, N-channel: Id=8,4A, Rds(on)=20 mOhm, P-channel: Id=6,8A, Rds(on)=30 mOhm, Pd=2,1W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Набор транзисторов в корпусе TO-92. 10 видов по 20 шт каждого. В комплекте: BC337 BC327 2N2222 2N2907 2N3904 2N3906 S8050 S8550 A1015 C1815
Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В...
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case...
В комплекте 5 штук новых транзисторов Z0607MA транзистор (5 шт.) симистор TO92 аналог AC0V8DGM схема MAC97-4 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet SM1G43 Триаки 0.8 Amp 600 Volt Технические параметры Конфигурация single...
Корпус DIP4, Тип выхода Транзистор, Количество выходов 1, Коммутируемое напряжение (макс) 35 В, Коммутируемый ток (макс) 50 мА, Напряжение изоляции 5 кВ. Технические параметры: Количество каналов - 1 Напряжение изоляции...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407 Наименование прибора: AO3407 Маркировка: A79TF_X7*_A7 Тип транзистора:...
BSS138 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 50 Вольт, максимальный ток стока 0.22 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 880 мОм (при Vgs =10 В,...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное напряжение эмиттер-база...
КТ805АМ, БМ, ИМ Транзистор NPN, среднечастотный, большой мощности, TO-220 (КТ-28) Описание СтруктураNPN Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс), В60 Максимально допустимый ток...
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов LM317T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог UPC317 схема ECG1900 характеристики цоколевка datasheet LM317 LM317Т – это регулируемый стабилизатор напряжения. Он может служить для создания...
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень...
Характеристики транзистора КТ807Б Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая...
Особенности: Его можно широко использовать для обнаружения NPN и PNP транзисторов, конденсаторов, резисторов, диодов, триодов, n-канальных и p-канальных МОП-транзисторов, IGBT, JFET, триаков и аккумуляторов и т. д. Он также может...
Field Stop IGBT, Vces=600V, Vce(sat)=2,3V, Ic=40A, Pd=290W FGH40N60SFD 600V, 40A Field Stop IGBT IGBT FGH40N60SFD имеет структуру, подходящую для токов большой силы. Транзистор обладает высоким входным импедансом, аналогичным МОП-транзисторам, и...
N Channel, Id=75A, Vds=55V, Rds(on)=0.0046ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=2V, Pd=330W, корпусTO-220AB-3, t-175°C
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В...
Модуль с распаянным MOSFET транзистором IRF520 (n-канал). Модуль позволяет управлять нагрузкой с током до 10 А. Несмотря на это, при токе выше 1А к нему требуется подключать радиатор. Модуль IRF520N...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент...
N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор
Тип: MOP транзистор полевой 1 N-канал серии IRFL Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Назначение: управление силовыми цепями Напряжение: пробоя сток-исток (Vds) - 500 В Напряжение: затвор-исток (Vgs) - -20/+20...
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 120...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
NPN COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS (Ucbo=100V, Ic=5A, 65W Iceo 0,5mA количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
В комплекте 2 штуки новых деталей LR2905Z транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог HUF76429D3S схема PHD44N06LT характеристики цоколевка datasheet микросхема LR2905 Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В...
N Channel, Id=209A, Vds=75V, Rds(on)=0.0045ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпусTO-247AC-3, t-175°C
В комплекте 5 штук новых транзисторов C3198 GR 331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог KSC945C схема KSC1815 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2SC 3198 Характеристики транзистора 2-SC3198 Структура - n-p-n Напряжение...
Тип: Электронные компоненты
Field Stop IGBT, Vces=600V, Vce(sat)=2,3V, Ic=40A, Pd=290W FGH40N60SFD 600V, 40A Field Stop IGBT IGBT FGH40N60SFD имеет структуру, подходящую для токов большой силы. Транзистор обладает высоким входным импедансом, аналогичным МОП-транзисторам, и...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC547 B 331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BC237B схема BC546B характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора BC547B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
В комплекте 2 штуки новых деталей B772 транзистор (2 шт.) SOT-89 SMD аналог BD132 схема BD186 характеристики цоколевка datasheet 2SB772 Характеристики транзистора 2SB772 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 2 штуки новых деталей LR8726 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD18514Q5A (TI) схема IRLR8726TRPBF характеристики цоколевка datasheet микросхема Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В...
Набор транзисторов в ассортименте (SOT-23) 15 видов * 10 шт. = 150 штук
Вы можете купить упаковку 10 шт. полевых транзисторов мосфетов Mosfet IRFZ44N. Мосфет является незаменимым электронным компонентом современных электронных устройств, таких как блоки питания, персональные компьютеры и пр. Характеристики транзистора IRFZ44N....
Комплект из 10-и SS8050 Биполярных транзисторов для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 25 В, максимальный ток коллектора Ic max 1,5 А, минимальный коэффициент...
IRLR2905PBF N Channel, Id=42A, Vds=55V, Rds(on)=0.027ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=1V, Pd=110W, корпус-TO-252-3, t-175°C
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное напряжение эмиттер-база...
N Channel, Id=110A, Vds=55V, Rds(on)=0.008ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=150W, корпусTO-247AC-3, t-175°C Полный размер И снова печка (( Вечером катался, печка исправно работала, утром прогрел машину-включаю печку, а она не фурычит....
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BTA41-600B транзистор (2 шт.) TO-3P аналог CQ218I-40M схема Q4040K7 характеристики цоколевка datasheet ВТА41-600В описание Тиристор BTA41-600B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40...