Транзистор IRF в Екатеринбурге
Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC557 B 331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BC307B схема BC448B характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора BC557B Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ368АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе...
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать...
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9014 C 331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог KSP05 схема KSP06 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора S9014C Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ644В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения, импульсных и переключающих устройствах, в...
-
-
-
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 H331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N3904 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзисторы 2П303В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б,...
Транзистор GSMIN IRF3205 (Черный).Из за низкого внутреннего сопротивления его часто используют для коммутации цепей в инверторах, электроинструменте, преобразователях постоянного тока и т. д. Он так же популярен при работе в...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях мощности. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается...
Транзисторы 2П103Г кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением....
Транзисторная сборка КПС104Г состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов. Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей...
Транзисторы 2П103В кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением....
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC557 B 331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BC307B схема BC448B характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора BC557B Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ368АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе...
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением....
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзистор FGPF4633: Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70.0A Корпус: TO220F Транзисторы / IGBT (бтиз) транзисторы /...
Транзисторы продаются комплектом по 2 штуки. Транзисторы 2Т826А кремниевые меза-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40...
Транзисторы 2Т608А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса...
Транзисторы 2Т635А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, быстродействующие, переключательные. Предназначены для применения в импульсных и высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора....
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ645А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные. Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ819Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ819В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC847B 1F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SC1623 схема 2STR1160 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора BC847B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9014 C 331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог KSP05 схема KSP06 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора S9014C Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5401 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2SA709 схема 2N5551 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5401 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы 1Т308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами....
Транзисторы КТ203Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ972А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматии. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются...
Транзисторы 2Т201Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные с ненормированным 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, и нормированным 2Т201Д коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты. Выпускаются...
В комплекте 5 штук транзисторов 2N3906 H331 транзистор (5 шт.) TO-92 MPSW51A схема MPSW56 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2N3906 — биполярный, кремниевый, высокочастотный транзистор, средней мощности. Используется в переключающих устройствах,...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF840 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP9NK50Z схема 2SK2542 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF840 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 500...
Транзисторы 2П307А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9014 C 331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог KSP05 схема KSP06 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора S9014C Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Транзисторы 2Т830Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p, переключательные. Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...
Транзисторы КТ960А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100.400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC547 B 331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BC237B схема BC546B характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора BC547B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ399АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TIP147T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT62B схема BDT64B характеристики цоколевка datasheet TIP147 Характеристики транзистора TIP147T Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100...
Транзисторы КП813А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания, частотно-регулируемых источниках электропитания, индукционных печах. Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе...
Транзистор 2Т867А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n высоковольтный, переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным...
Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC-8 (SMD) MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0 Мощность: рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 4 A(N-Channel), 3...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5401 2L транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5401S схема ECG288 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150...
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 1P транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT455 схема FMMT491 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3906 2A транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MMBT3906 схема FMMT591 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 3906 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Категория: радиодетали. Транзистор N-MOSFET PH5030AL SOT-669
Транзисторы 2Т836Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания. Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов MJE13003 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог MJE 13003G схема характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора MJE13003 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В...
Транзисторы СВЧ 2Т919А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7.2,4 ГГц в схеме с общей базой. Выпускаются в...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF620 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1529 схема BUZ73 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF620 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200...